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実験風景
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半導体フォトカソード作製
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本研究室では、半導体フォトカソードについて研究しています。
このページでは、半導体フォトカソードの説明と実際の実験風景を載せています。
渕研究室での半導体フォトカソード作製方法(予定)は
MOCVD装置で半導体基板を作製する→Yo-Yo法を用いてCsの蒸着とO2の供給をする→半導体フォトカソード完成
このページではGaAsの結晶成長と試料へのCsの蒸着実験を紹介します。
実験の流れを簡単に書くと
GaAs基板を用意する→基板を加工する→試料ホルダーに基板を入れる→結晶成長させる→NEAチャンバーに移す→Csを蒸着する
→取り出して完成
という流れになります。 ここでは、実験の写真を見ながら説明していきます。
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< 基板加工 >
まず、GaAs基板を14×15mmの長方形に劈開(へきかい)します。 |
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< 基板の導入 >
基板を入れた試料ホルダーを導入室に入れます。入れ終えたら導入室内の気圧を大気圧→真空にします。 |
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< MOCVDへの移動 >
準備室から試料ホルダーを移動し、カーボンヒータをかぶせておきます。
左の写真にあるハンドルで、MOCVDの反応管へ移動させます。
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< NEAチャンバーへの移動 >
フォークに試料ホルダーを乗せて(左図)、導入室からNEAチャンバーに移動させます。
※基板を落としても回収できないので慎重に移動させます。 |
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< Cs蒸着 >
移動した試料にレーザーを照射し、Csを通電加熱することで試料に蒸着させます。
光電流を自動測定プログラムで測定します。
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< 取り出し >
Cs蒸着が終わったら、フォークを使って試料をNEAチャンバーから導入室まで移動させます。
試料ホルダー内の気圧を真空→大気圧に戻し、試料を取り出して、作業終了です。 |
以上がCsの蒸着実験の流れになります。今後の目標としては半導体量子構造と電子ビームの特性を調べたいと思います。
※下はリンクです、ぜひご利用ください！
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